一种沟槽式半导体功率器件栅极导出的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110230191.7

申请日：

2011-08-12

公开(公告)号：

CN102315110B

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

陈智勇

申请人：

申请人地址：

257091 山东省东营市府前街65号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108

代理人：

宋永丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	授权	授权
2012-01-11	公开	公开
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584217805 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011102301917 申请日:20110812

共 50 条

[1]

沟槽型半导体功率器件 [P].

杨晓鸾 ;

陈天 ;

武洪建 .

中国专利 :CN203118953U ,2013-08-07

[2]

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件 [P].

尼克·吉尔·施耐德 ;

宝拉·迪亚兹·雷戈萨 ;

拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 .

中国专利 :CN117352554B ,2024-02-27

[3]

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件 [P].

尼克·吉尔·施耐德 ;

宝拉·迪亚兹·雷戈萨 ;

拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 .

中国专利 :CN117352554A ,2024-01-05

[4]

栅极沟槽以及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 ;

鲍俊波 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102376576A ,2012-03-14

[5]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[6]

沟槽－栅极半导体器件的制造方法 [P].

E·A·希泽恩 ;

R·J·E·休廷格 ;

M·A·A·恩特赞特 .

中国专利 :CN1726585A ,2006-01-25

[7]

沟槽－栅极半导体器件的制造 [P].

M·A·A·因特赞德特 ;

E·A·希岑 .

中国专利 :CN1726587A ,2006-01-25

[8]

一种制造沟槽型半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187292B ,2013-07-03

[9]

一种沟槽型半导体功率器件的制造方法 [P].

侯宏伟 ;

丁磊 .

中国专利 :CN104409359A ,2015-03-11

[10]

一种制备沟槽半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632964A ,2014-03-12

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