一种制造沟槽型半导体功率器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110458303.4

申请日：

2011-12-29

公开(公告)号：

CN103187292B

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

苏冠创

申请人：

申请人地址：

赛舌尔马埃维多利亚维多利亚大楼306

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司 44100

代理人：

华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101498922135 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011104583034 申请日:20111229
2016-06-29	授权	授权
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20111229 授权公告日:20160629 终止日期:20201229

共 50 条

[1]

一种沟槽半导体功率器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187282B ,2013-07-03

[2]

一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P].

张崇兴 ;

梁安杰 ;

苏冠创 .

中国专利 :CN101777514A ,2010-07-14

[3]

一种制备沟槽半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632964A ,2014-03-12

[4]

一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632963A ,2014-03-12

[5]

一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187291A ,2013-07-03

[6]

一种沟槽型半导体功率器件的制造方法 [P].

侯宏伟 ;

丁磊 .

中国专利 :CN104409359A ,2015-03-11

[7]

沟槽型半导体功率器件 [P].

杨晓鸾 ;

陈天 ;

武洪建 .

中国专利 :CN203118953U ,2013-08-07

[8]

沟槽型半导体功率器件 [P].

郭大川 ;

庄乔舜 .

美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27

[9]

一种沟槽功率半导体器件 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218274575U ,2023-01-10

[10]

一种沟槽半导体功率分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187281B ,2013-07-03

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