一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110458250.6

申请日：

2011-12-29

公开(公告)号：

CN103187291A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

苏冠创

申请人：

申请人地址：

马埃维多利亚,维多利亚大楼306

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司 44100

代理人：

华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2016-02-10	授权	授权
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499122456 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011104582506 申请日:20111229
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20111229 授权公告日:20160210 终止日期:20201229

共 50 条

[1]

一种沟槽半导体功率分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187281B ,2013-07-03

[2]

一种沟槽半导体分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187287A ,2013-07-03

[3]

一种制备沟槽半导体分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103219241A ,2013-07-24

[4]

一种沟槽半导体功率器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187282B ,2013-07-03

[5]

一种制备沟槽半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632964A ,2014-03-12

[6]

一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632963A ,2014-03-12

[7]

一种制造沟槽型半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187292B ,2013-07-03

[8]

一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P].

张崇兴 ;

梁安杰 ;

苏冠创 .

中国专利 :CN101777514A ,2010-07-14

[9]

功率半导体分立器件 [P].

房军军 .

中国专利 :CN305827814S ,2020-06-05

[10]

功率半导体分立器件 [P].

房军军 .

中国专利 :CN309245948S ,2025-04-18

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