一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210298917.5

申请日：

2012-08-21

公开(公告)号：

CN103632963A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

苏冠创

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼C608、610

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702730575 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:无专利申请号:2012102989175 收件人:深圳市力振半导体有限公司文件名称:发明专利申请公布通知书
2016-02-17	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728086884 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:无专利申请号:2012102989175 收件人:深圳市力振半导体有限公司文件名称:视为撤回通知书
2016-07-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735515635 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102989175 申请公布日:20140312
2014-03-12	公开	公开
2015-08-12	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719328804 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:无专利申请号:2012102989175 收件人:深圳市力振半导体有限公司文件名称:实审请求期限届满前通知书

共 50 条

[1]

一种沟槽半导体功率器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187282B ,2013-07-03

[2]

一种制备沟槽半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632964A ,2014-03-12

[3]

一种制备沟槽栅控功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103632965A ,2014-03-12

[4]

一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P].

张崇兴 ;

梁安杰 ;

苏冠创 .

中国专利 :CN101777514A ,2010-07-14

[5]

一种沟槽半导体功率分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187281B ,2013-07-03

[6]

一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187291A ,2013-07-03

[7]

一种制造沟槽型半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187292B ,2013-07-03

[8]

一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187288B ,2013-07-03

[9]

一种制备沟槽半导体分立器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103219241A ,2013-07-24

[10]

一种沟槽半导体分立器件的制备方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187287A ,2013-07-03

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