一种沟槽型半导体功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410719813.6

申请日：

2014-12-02

公开(公告)号：

CN104409359A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

侯宏伟丁磊

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209

代理人：

陈晓岷

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150311
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604802367 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014107198136 申请日:20141202
2015-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

杨晓鸾 ;

许生根 ;

姜梅 ;

董少华 ;

崔磊 .

中国专利 :CN107634095A ,2018-01-26

[2]

一种制造沟槽型半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187292B ,2013-07-03

[3]

沟槽型半导体功率器件 [P].

杨晓鸾 ;

陈天 ;

武洪建 .

中国专利 :CN203118953U ,2013-08-07

[4]

沟槽型半导体功率器件 [P].

郭大川 ;

庄乔舜 .

美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27

[5]

沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN103151381A ,2013-06-12

[6]

一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN103151380A ,2013-06-12

[7]

一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19

[8]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[9]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

张辉 .

中国专利 :CN208507662U ,2019-02-15

[10]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

焦宗凯 .

中国专利 :CN216354168U ,2022-04-19

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