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一种沟槽型半导体功率器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821160116.1
申请日：
2018-07-17
公开(公告)号：
CN208507662U
公开(公告)日：
2019-02-15
发明(设计)人：
张辉
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区向南路12号办公楼一楼右边第一间
IPC主分类号：
H01L23495
IPC分类号：
H01L23367
代理机构：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411
代理人：
徐永雷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-02-15 | 授权 | 授权 |