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一种沟槽型半导体功率器件及版图
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310582449.2
申请日：
2023-05-19
公开(公告)号：
CN116613212B
公开(公告)日：
2024-01-30
发明(设计)人：
刘坚
蔡金勇
申请人：
杭州芯迈半导体技术有限公司
申请人地址：
310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/08
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
蔡纯
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-30 | 授权 | 授权 |
| 2025-08-01 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 29/78变更事项:专利权人变更前:杭州芯迈半导体技术有限公司变更后:芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608 |