一种半导体功率器件版图

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610231918.6
申请日
2016-04-14
公开(公告)号
CN105762147A
公开(公告)日
2016-07-13
发明(设计)人
郑昌伟 戴小平
申请人
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L2978 H01L2906 H01L29423
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
罗满
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体功率器件版图结构及半导体功率器件 [P]. 
阳平 .
中国专利 :CN209447801U ,2019-09-27
[2]
一种沟槽型半导体功率器件及版图 [P]. 
刘坚 ;
蔡金勇 .
中国专利 :CN116613212B ,2024-01-30
[3]
一种沟槽型半导体功率器件及版图 [P]. 
陈雷雷 ;
刘坚 .
中国专利 :CN117558748A ,2024-02-13
[4]
一种沟槽型半导体功率器件及版图 [P]. 
陈雷雷 ;
刘坚 .
中国专利 :CN117558748B ,2024-07-30
[5]
一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P]. 
张中华 ;
刘根 ;
方自力 ;
韩永乐 ;
王光明 ;
苗笑宇 .
中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28
[6]
一种半导体功率器件及半导体功率系统 [P]. 
邹爱龙 ;
王汉瑞 ;
刘洪胜 ;
刘志鹏 ;
王浩东 .
中国专利 :CN121054579A ,2025-12-02
[7]
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备 [P]. 
肖婷 ;
史波 ;
吴佳蒙 ;
曾丹 ;
曹俊 .
中国专利 :CN112928109A ,2021-06-08
[8]
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备 [P]. 
肖婷 ;
史波 ;
吴佳蒙 ;
曾丹 ;
曹俊 .
中国专利 :CN210837754U ,2020-06-23
[9]
半导体功率器件 [P]. 
王鹏飞 ;
袁愿林 ;
刘磊 ;
王睿 .
中国专利 :CN217037151U ,2022-07-22
[10]
半导体功率器件 [P]. 
玄永星 ;
王林祥 ;
左建伟 ;
吴勐 .
中国专利 :CN307191363S ,2022-03-22