沟槽型半导体功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220727199.4

申请日：

2012-12-26

公开(公告)号：

CN203118953U

公开(公告)日：

2013-08-07

发明(设计)人：

杨晓鸾陈天武洪建

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖经济开发区高凯路8号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

代理机构：

杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221

代理人：

应圣义

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101704367773 IPC(主分类):H01L 29/423 专利号:ZL2012207271994 申请日:20121226 授权公告日:20130807 终止日期:20151226
2013-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型半导体功率器件 [P].

郭大川 ;

庄乔舜 .

美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27

[2]

沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10

[3]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

张辉 .

中国专利 :CN208507662U ,2019-02-15

[4]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

焦宗凯 .

中国专利 :CN216354168U ,2022-04-19

[5]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

周家枝 .

中国专利 :CN210897263U ,2020-06-30

[6]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[7]

沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件 [P].

杨利君 ;

宣雷 ;

李海军 .

中国专利 :CN119050127A ,2024-11-29

[8]

一种沟槽功率半导体器件 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218274575U ,2023-01-10

[9]

沟槽型半导体功率器件及其制备方法 [P].

金锐 ;

杨晓鸾 ;

许生根 ;

姜梅 ;

董少华 ;

崔磊 .

中国专利 :CN107634095A ,2018-01-26

[10]

一种沟槽型半导体功率器件 [P].

刘坚 ;

蔡金勇 .

中国专利 :CN118263316A ,2024-06-28

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