用于局部触点接通和局部掺杂半导体层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980142752.9

申请日：

2009-08-20

公开(公告)号：

CN102197491A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

R·普罗伊 A·格罗厄 D·比罗 J·兰特施 M·霍夫曼 J-F·尼卡达 A·沃尔夫

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

吴鹏;马江立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	授权	授权
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141114134 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2009801427529 申请日:20090820
2011-09-21	公开	公开
2021-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20090820 授权公告日:20141126 终止日期:20200820

共 50 条

[1]

用于形成自对准触点和局部互连的方法 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN103946971A ,2014-07-23

[2]

半导体硅片局部掺杂装置 [P].

范继良 .

中国专利 :CN209328854U ,2019-08-30

[3]

处理单晶半导体晶片的方法和局部处理的半导体晶片 [P].

J·赫普夫纳 .

中国专利 :CN1346511A ,2002-04-24

[4]

用于生成局部结构化的半导体层的方法 [P].

伊夫林·施米希 ;

法比安·基弗 ;

斯蒂芬·雷伯 ;

斯蒂芬·林德库格尔 .

中国专利 :CN102804409A ,2012-11-28

[5]

现场外掺杂半导体传输层 [P].

K·B·卡亨 .

中国专利 :CN101611480A ,2009-12-23

[6]

半导体器件和用于产生掺杂半导体层的方法 [P].

F.希尔勒 ;

F.卡尔曼 ;

A.毛德 ;

G.米勒 ;

H-J.舒尔策 ;

H.施特拉克 .

中国专利 :CN103531613A ,2014-01-22

[7]

掺杂半导体层形成方法 [P].

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗 ;

休伯特·博诺 ;

朱莉娅·西蒙 .

中国专利 :CN112993094A ,2021-06-18

[8]

掺杂半导体层形成方法 [P].

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗 ;

休伯特·博诺 ;

朱莉娅·西蒙 .

法国专利 :CN112993094B ,2025-10-31

[9]

掺杂半导体层的方法,薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

碓井节夫 ;

达拉姆·P·戈塞恩 .

中国专利 :CN1179400C ,2003-03-05

[10]

局部抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927448A ,2010-12-29

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