掺杂半导体层的方法,薄膜半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01805083.2

申请日：

2001-12-14

公开(公告)号：

CN1179400C

公开(公告)日：

2003-03-05

发明(设计)人：

町田晓夫碓井节夫达拉姆·P·戈塞恩

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2122

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-05	公开	公开
2004-12-08	授权	授权
2003-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013789 IPC(主分类):H01L 21/22 专利号:ZL018050832 申请日:20011214 授权公告日:20041208 终止日期:20131214

共 50 条

[1]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[2]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[3]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

松村正清 ;

小穴保久 ;

阿部浩之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 ;

蕨迫光纪 .

中国专利 :CN1276471C ,2003-12-31

[4]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103329275A ,2013-09-25

[5]

半导体掺杂及电阻控制法、半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

碓井节夫 ;

达拉姆·P·戈塞恩 .

中国专利 :CN1251307C ,2004-03-03

[6]

晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P].

森若智昭 .

中国专利 :CN101043026A ,2007-09-26

[7]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[8]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[9]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

矶部敦生 ;

山口哲司 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN1725513A ,2006-01-25

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