晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710088158.9

申请日：

2007-03-20

公开(公告)号：

CN101043026A

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

森若智昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2904 H01L31036 H01L2120 H01L21268 H01L3120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-26	公开	公开
2011-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[2]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[3]

薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法 [P].

平松雅人 ;

木村嘉伸 ;

小川裕之 ;

十文字正之 ;

松村正清 .

中国专利 :CN100463224C ,2005-02-09

[4]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

木村嘉伸 ;

松村正清 ;

西谷干彦 ;

平松雅人 ;

十文字正之 ;

山元良高 ;

小关秀夫 .

中国专利 :CN1568549A ,2005-01-19

[5]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 .

中国专利 :CN1396626A ,2003-02-12

[7]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN100388636C ,2005-01-19

[8]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1246910C ,2004-05-12

[9]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1166048A ,1997-11-26

[10]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

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