薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410071612.6

申请日：

2004-07-16

公开(公告)号：

CN100463224C

公开(公告)日：

2005-02-09

发明(设计)人：

平松雅人木村嘉伸小川裕之十文字正之松村正清

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2100 H01L2120 H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-09	公开	公开
2009-02-18	授权	授权
2011-09-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101108910140 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2004100716126 申请日:20040716 授权公告日:20090218 终止日期:20100716
2006-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[2]

晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P].

森若智昭 .

中国专利 :CN101043026A ,2007-09-26

[3]

半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法 [P].

林家兴 ;

朱芳村 ;

陈宏泽 .

中国专利 :CN101271847A ,2008-09-24

[4]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[6]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[7]

多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件 [P].

木村嘉伸 ;

贺茂尚广 ;

金子好之 .

中国专利 :CN1209792C ,2002-08-21

[8]

半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法 [P].

船井尚 ;

牧田直树 ;

山元良高 ;

森田达夫 .

中国专利 :CN1109213A ,1995-09-27

[9]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[10]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

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