掺杂半导体层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011450481.8

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112993094B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗休伯特·博诺朱莉娅·西蒙

申请人：

原子能与替代能源委员会

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/825

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

谭营营;胡彬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

掺杂半导体层形成方法 [P].

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗 ;

休伯特·博诺 ;

朱莉娅·西蒙 .

中国专利 :CN112993094A ,2021-06-18

[2]

半导体层及其形成方法 [P].

古川博章 .

中国专利 :CN102217075A ,2011-10-12

[3]

半导体层的形成方法 [P].

田中悟 ;

武内道一 ;

青柳克信 .

中国专利 :CN1302082A ,2001-07-04

[4]

半导体叠层结构及其形成方法 [P].

李亮 ;

姜淼 ;

闫彬斌 ;

梁迪 ;

师江柳 .

中国专利 :CN118676118A ,2024-09-20

[5]

半导体金属互连层的形成方法 [P].

薛盛鼎 ;

袁洋 ;

张必友 ;

朱作华 ;

王函 .

中国专利 :CN120637320A ,2025-09-12

[6]

外延层形成方法及半导体结构 [P].

刘峰松 ;

梁博 ;

史超 ;

王海红 .

中国专利 :CN103943471A ,2014-07-23

[7]

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118231225A ,2024-06-21

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

洪嘉隆 ;

萧逸楷 ;

郭浩中 .

中国专利 :CN119069353A ,2024-12-03

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·阿塞法 ;

W·M·J·格林 ;

M·H·哈提尔 ;

Y·A·弗拉索夫 .

中国专利 :CN103576344A ,2014-02-12

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

赫赛恩·I·哈纳菲 ;

爱德华·J·诺瓦克 .

中国专利 :CN100448026C ,2006-03-29

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