半导体层及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980146111.0

申请日：

2009-11-02

公开(公告)号：

CN102217075A

公开(公告)日：

2011-10-12

发明(设计)人：

古川博章

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L213065 H01L21336

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

权鲜枝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101143713940 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009801461110 申请日:20091102
2011-10-12	公开	公开
2014-02-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101690504613 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009801461110 申请公布日:20111012

共 50 条

[1]

半导体层的形成方法 [P].

田中悟 ;

武内道一 ;

青柳克信 .

中国专利 :CN1302082A ,2001-07-04

[2]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

黄武根 ;

苗利娜 ;

肖亮 ;

张明康 .

中国专利 :CN119923960A ,2025-05-02

[3]

半导体叠层结构及其形成方法 [P].

李亮 ;

姜淼 ;

闫彬斌 ;

梁迪 ;

师江柳 .

中国专利 :CN118676118A ,2024-09-20

[4]

掺杂半导体层形成方法 [P].

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗 ;

休伯特·博诺 ;

朱莉娅·西蒙 .

中国专利 :CN112993094A ,2021-06-18

[5]

掺杂半导体层形成方法 [P].

维尔日妮·玛菲妮·阿尔瓦罗 ;

休伯特·博诺 ;

朱莉娅·西蒙 .

法国专利 :CN112993094B ,2025-10-31

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡恬 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 ;

余振华 .

中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

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