半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510099803.8

申请日：

2005-09-02

公开(公告)号：

CN100448026C

公开(公告)日：

2006-03-29

发明(设计)人：

赫赛恩·I·哈纳菲爱德华·J·诺瓦克

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336 H01L2184

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	授权	授权
2006-03-29	公开	公开
2006-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡志玮 ;

叶腾豪 .

中国专利 :CN111415945B ,2020-07-14

[2]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18

[3]

半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法 [P].

张全良 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN114068708B ,2024-03-22

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

戚德奎 .

中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 ;

赵海 .

中国专利 :CN112530804A ,2021-03-19

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN113497139A ,2021-10-12

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108573868A ,2018-09-25

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109285811B ,2019-01-29

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

纪世良 ;

肖杏宇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN114068704B ,2024-03-22

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

金兰 .

中国专利 :CN108573872B ,2018-09-25

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