处理单晶半导体晶片的方法和局部处理的半导体晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00805917.9

申请日：

2000-03-24

公开(公告)号：

CN1346511A

公开(公告)日：

2002-04-24

发明(设计)人：

J·赫普夫纳

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21314 H01L21318

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

马铁良;张志醒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-04-24	公开	公开
2004-06-23	授权	授权
2006-05-24	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

[2]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[3]

半导体晶片处理 [P].

入口祥一 ;

佐田博之 ;

谷野元气 .

中国专利 :CN104205303A ,2014-12-10

[4]

处理半导体晶片的方法 [P].

克里斯托福·戴维·多布森 .

中国专利 :CN1042577C ,1994-07-20

[5]

半导体晶片的处理方法 [P].

马宏 ;

周梅生 .

中国专利 :CN1889230A ,2007-01-03

[6]

处理半导体晶片的方法 [P].

G·施瓦布 ;

D·费霍 ;

T·布施哈尔特 ;

H-J·卢特 ;

F·索林格 .

中国专利 :CN101752215A ,2010-06-23

[7]

处理半导体晶片的方法 [P].

罗兰·范丹姆 ;

志坚·裴 ;

云－彪·辛 .

中国专利 :CN1272222A ,2000-11-01

[8]

处理半导体晶片的方法 [P].

C·D·多布森 ;

A·吉尔马茨 .

中国专利 :CN1128582A ,1996-08-07

[9]

处理半导体晶片的方法 [P].

史蒂文·维哈费尔贝克 .

中国专利 :CN1114566C ,2000-07-12

[10]

半导体晶片的处理方法 [P].

王银果 .

中国专利 :CN120575149A ,2025-09-02

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