用于生成局部结构化的半导体层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080057937.2

申请日：

2010-12-17

公开(公告)号：

CN102804409A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

伊夫林·施米希法比安·基弗斯蒂芬·雷伯斯蒂芬·林德库格尔

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

杨生平;钟锦舜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	公开	公开
2016-04-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730750324 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010800579372 申请公布日:20121128
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383323777 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010800579372 申请日:20101217

共 50 条

[1]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[2]

用于局部触点接通和局部掺杂半导体层的方法 [P].

R·普罗伊 ;

A·格罗厄 ;

D·比罗 ;

J·兰特施 ;

M·霍夫曼 ;

J-F·尼卡达 ;

A·沃尔夫 .

中国专利 :CN102197491A ,2011-09-21

[3]

用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件 [P].

S·安布鲁斯特 ;

F·菲舍尔 ;

J·巴德尔 ;

R·施特劳布 .

中国专利 :CN104843634A ,2015-08-19

[4]

用于半导体器件的钝化结构化和镀覆 [P].

R·K·约希 ;

A·贝伦特 ;

R·盖斯贝格尔 ;

A·扎茨 ;

J·施拉明格 ;

J·施米德 ;

M·施塔诺夫尼克 ;

J·施泰因布伦纳 .

中国专利 :CN114078715A ,2022-02-22

[5]

用于在半导体晶片上结构化绝缘层的方法 [P].

A·弗雷 ;

B·哈格多恩 .

中国专利 :CN114914308A ,2022-08-16

[6]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

[7]

图案化半导体层的方法 [P].

张怡鸣 ;

蔡佳桦 ;

苏信远 .

中国专利 :CN117580423A ,2024-02-20

[8]

改变半导体层结构的方法 [P].

P·布鲁恩斯 ;

维塔利·利索特申克 ;

德克·豪斯奇尔德 .

中国专利 :CN101680107A ,2010-03-24

[9]

用于转换半导体层的方法 [P].

P.施滕纳 ;

M.帕茨 ;

M.克勒 ;

S.韦伯 .

中国专利 :CN103229602A ,2013-07-31

[10]

用于转移半导体层的方法 [P].

夏伊·雷波 ;

弗雷德里克·马赞 ;

让-米歇尔·哈特曼 .

法国专利 :CN120548605A ,2025-08-26

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