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改变半导体层结构的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200880013183.3
申请日：
2008-04-24
公开(公告)号：
CN101680107A
公开(公告)日：
2010-03-24
发明(设计)人：
P·布鲁恩斯 维塔利·利索特申克 德克·豪斯奇尔德
申请人：
申请人地址：
德国盖斯滕格林
IPC主分类号：
C30B102
IPC分类号：
C30B2906 C30B1324 H01L2102
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：
赵 冰
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2012-08-29 著录事项变更 著录事项变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101443937431 IPC(主分类):C30B 1/02 专利申请号:2008800131833 变更事项:申请人 变更前:LIMO专利管理有限及两合公司 变更后:LIMO专利管理有限及两合公司 变更事项:地址 变更前:德国盖斯滕格林 变更后:德国多特蒙德
2019-10-08 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):C30B 1/02 登记生效日:20190917 变更事项:专利权人 变更前权利人:镭蒙（苏州）微光学科技有限公司 变更后权利人:炬光（东莞）微光学有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:215000 江苏省苏州吴中经济开发区越溪街道吴中大道2888号6幢D513、515室 变更后权利人:523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区北部中小企业创业园8栋2楼
2010-04-28 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001298336 IPC(主分类):C30B 1/02 专利申请号:2008800131833 申请日:20080424
2017-04-26 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750561535 IPC(主分类):C30B 1/02 专利号:ZL2008800131833 登记生效日:20170407 变更事项:专利权人 变更前权利人:LIMO专利管理有限及两合公司 变更后权利人:镭蒙(苏州)微光学科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:德国多特蒙德 变更后权利人:江苏省苏州吴中经济开发区越溪街道吴中大道2888号6幢D513、515室
2013-04-10 授权 授权
2010-03-24 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P]. 
布里安·墨非 ;
迈克·黑伯伦 ;
约尔格·林德纳 .
中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10
[2]
半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P]. 
布赖恩·墨菲 ;
迈克·黑伯伦 ;
约尔格·林德纳 ;
贝恩德·斯特里茨克尔 .
中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08
[3]
半导体层结构 [P]. 
马丁·安德烈亚斯·奥尔松 .
中国专利 :CN114788013A ,2022-07-22
[4]
半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构 [P]. 
廖晋毅 ;
刘升旭 .
中国专利 :CN104900525A ,2015-09-09
[5]
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 [P]. 
杨君玲 ;
陈诺夫 ;
何家宏 ;
钟兴儒 ;
吴金良 ;
林兰英 ;
刘志凯 ;
杨少延 ;
柴春林 .
中国专利 :CN1402305A ,2003-03-12
[6]
半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板 [P]. 
十文字伸哉 ;
小酒达 ;
铃木贵人 ;
谷川兼一 ;
中井佑亮 ;
川田宽人 ;
松尾元一郎 ;
北岛由隆 .
日本专利 :CN117954536A ,2024-04-30
[7]
半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板 [P]. 
十文字伸哉 ;
小酒达 ;
铃木贵人 ;
谷川兼一 ;
中井佑亮 ;
川田宽人 ;
松尾元一郎 ;
北岛由隆 .
日本专利 :CN117954535A ,2024-04-30
[8]
半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法 [P]. 
芦泽公一 .
中国专利 :CN110741479A ,2020-01-31
[9]
具有厚缓冲层的半导体层结构 [P]. 
L.范 .
中国专利 :CN110858700B ,2020-03-03
[10]
半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN117476549A ,2024-01-30
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