半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01124213.2

申请日：

2001-08-15

公开(公告)号：

CN1402305A

公开(公告)日：

2003-03-12

发明(设计)人：

杨君玲陈诺夫何家宏钟兴儒吴金良林兰英刘志凯杨少延柴春林

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路肖庄

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-11-03	授权	授权
2003-03-12	公开	公开
2006-10-11	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[2]

制备半导体层的方法 [P].

G·布拉德雷 ;

L·布尔吉 ;

F·比恩尼沃尔德 .

中国专利 :CN101919081A ,2010-12-15

[3]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

[4]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039568A ,2024-05-14

[5]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039568B ,2025-04-25

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

罗富铭 ;

冷凯 ;

刘志平 ;

江斐 ;

刘新 ;

潘波 .

中国专利 :CN119447104A ,2025-02-14

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

何大权 ;

国家嘉 ;

卫雪菲 .

中国专利 :CN118765109A ,2024-10-11

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

罗富铭 ;

冷凯 ;

刘志平 ;

江斐 ;

刘新 ;

潘波 .

中国专利 :CN119447104B ,2025-12-12

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王弘 ;

李晓杰 .

中国专利 :CN117545271A ,2024-02-09

[10]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

王子巍 ;

梁仁荣 .

中国专利 :CN106024584A ,2016-10-12

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