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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411012428.8
申请日：
2024-07-25
公开(公告)号：
CN118765109A
公开(公告)日：
2024-10-11
发明(设计)人：
何大权
国家嘉
卫雪菲
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H10B10/00
IPC分类号：
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
成亚婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 10/00申请日:20240725 |
| 2024-10-11 | 公开 | 公开 |