共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411521136.7
申请日：
2024-10-29
公开(公告)号：
CN119447104A
公开(公告)日：
2025-02-14
发明(设计)人：
罗富铭
冷凯
刘志平
江斐
刘新
潘波
申请人：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市越城区临江路500号
IPC主分类号：
H01L23/538
IPC分类号：
H01L23/482
H01L23/31
H01L23/29
H01L21/56
H01L21/50
H01L21/768
H01L21/60
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
杨明莉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
吉林省
白山市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/538申请日:20241029 |
| 2025-02-14 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-12 | 授权 | 授权 |