制备半导体层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880121220.2

申请日：

2008-12-05

公开(公告)号：

CN101919081A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

G·布拉德雷 L·布尔吉 F·比恩尼沃尔德

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

H01L5110

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

林柏楠;彭飞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101034887884 IPC(主分类):H01L 51/10 专利申请号:2008801212202 申请日:20081205
2010-12-15	公开	公开
2012-10-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101454773337 IPC(主分类):H01L 51/10 专利申请号:2008801212202 申请公布日:20101215

共 50 条

[1]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[2]

半导体层的制备方法 [P].

李东琦 ;

魏洋 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108017048B ,2018-05-11

[3]

制备半导体层的方法 [P].

C·纽萨姆 .

中国专利 :CN104508847B ,2015-04-08

[4]

半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 [P].

杨君玲 ;

陈诺夫 ;

何家宏 ;

钟兴儒 ;

吴金良 ;

林兰英 ;

刘志凯 ;

杨少延 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1402305A ,2003-03-12

[5]

分离半导体层的方法 [P].

W·施瓦岑巴赫 ;

C·马勒维尔 ;

N·本穆罕默德 .

中国专利 :CN100419991C ,2006-10-25

[6]

有机半导体材料组合物和有机场效应晶体管的半导体层及其制备方法 [P].

高思敏 .

中国专利 :CN107170885A ,2017-09-15

[7]

半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层 [P].

王启光 ;

靳磊 ;

刘红涛 .

中国专利 :CN109473440A ,2019-03-15

[8]

半导体层的制备方法及装置、显示基板制备方法 [P].

胡迎宾 ;

闫梁臣 ;

赵策 ;

丁远奎 ;

宋威 ;

刘军 ;

苏同上 .

中国专利 :CN109767975B ,2019-05-17

[9]

半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P].

杰罗姆·加尼耶 ;

托马斯·斯坦内特 ;

约翰内斯·斯科尔茨 ;

黄强 .

德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18

[10]

形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法 [P].

大江贵裕 ;

君岛美树 .

中国专利 :CN101903993B ,2010-12-01

← 1 2 3 4 5 →