半导体层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610943257.X

申请日：

2016-10-31

公开(公告)号：

CN108017048B

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

李东琦魏洋姜开利范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

C01B32158

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/158 申请日:20161031
2018-05-11	公开	公开
2020-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

制备半导体层的方法 [P].

G·布拉德雷 ;

L·布尔吉 ;

F·比恩尼沃尔德 .

中国专利 :CN101919081A ,2010-12-15

[2]

制备半导体层的方法 [P].

C·纽萨姆 .

中国专利 :CN104508847B ,2015-04-08

[3]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[4]

透明导电层的制备方法 [P].

李东琦 ;

魏洋 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108002364A ,2018-05-08

[5]

半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 [P].

杨君玲 ;

陈诺夫 ;

何家宏 ;

钟兴儒 ;

吴金良 ;

林兰英 ;

刘志凯 ;

杨少延 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1402305A ,2003-03-12

[6]

半导体层、包含该半导体层的光电组件以及它们的制备方法 [P].

B·巴索尔 .

中国专利 :CN101331589B ,2008-12-24

[7]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

[8]

半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法 [P].

芦泽公一 .

中国专利 :CN110741479A ,2020-01-31

[9]

生产半导体层的方法 [P].

A·卡尔波夫 ;

F·弗莱施哈克尔 ;

I·多姆克 ;

M·卡斯特勒 ;

V·弗洛卡 ;

L·韦伯 .

中国专利 :CN102803559A ,2012-11-28

[10]

分离半导体层的方法 [P].

W·施瓦岑巴赫 ;

C·马勒维尔 ;

N·本穆罕默德 .

中国专利 :CN100419991C ,2006-10-25

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