制备半导体层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380032455.5

申请日：

2013-06-17

公开(公告)号：

CN104508847B

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

C·纽萨姆

申请人：

申请人地址：

英国剑桥

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

H01L5105

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

王海宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	公开	公开
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608391170 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2013800324555 申请日:20130617
2018-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

制备半导体层的方法 [P].

G·布拉德雷 ;

L·布尔吉 ;

F·比恩尼沃尔德 .

中国专利 :CN101919081A ,2010-12-15

[2]

半导体层的制备方法 [P].

李东琦 ;

魏洋 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108017048B ,2018-05-11

[3]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[4]

半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 [P].

杨君玲 ;

陈诺夫 ;

何家宏 ;

钟兴儒 ;

吴金良 ;

林兰英 ;

刘志凯 ;

杨少延 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1402305A ,2003-03-12

[5]

半导体层、包含该半导体层的光电组件以及它们的制备方法 [P].

B·巴索尔 .

中国专利 :CN101331589B ,2008-12-24

[6]

有机半导体层 [P].

本杰明·舒尔策 ;

卡斯滕·洛特 ;

张起砲 ;

柳真铉 .

中国专利 :CN111630676A ,2020-09-04

[7]

有机半导体层 [P].

本杰明·舒尔策 ;

卡斯滕·洛特 ;

张起砲 ;

柳真铉 .

德国专利 :CN111630676B ,2024-09-10

[8]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

[9]

半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法 [P].

芦泽公一 .

中国专利 :CN110741479A ,2020-01-31

[10]

生产半导体层的方法 [P].

A·卡尔波夫 ;

F·弗莱施哈克尔 ;

I·多姆克 ;

M·卡斯特勒 ;

V·弗洛卡 ;

L·韦伯 .

中国专利 :CN102803559A ,2012-11-28

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