半导体层、包含该半导体层的光电组件以及它们的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680047567.8

申请日：

2006-11-02

公开(公告)号：

CN101331589B

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

B·巴索尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2106

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李帆

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101638244856 IPC(主分类):H01L 21/06 专利号:ZL2006800475678 申请日:20061102 授权公告日:20120704 终止日期:20141102
2008-12-24	公开	公开
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

制备含无机半导体颗粒的层的方法以及包含该层的器件 [P].

M·S·皮博 ;

G·特里梅尔 ;

F·施特尔策 ;

T·拉特 ;

A·K·普莱辛 ;

D·迈斯纳 .

中国专利 :CN101473463A ,2009-07-01

[2]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[3]

半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法 [P].

芦泽公一 .

中国专利 :CN110741479A ,2020-01-31

[4]

半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件 [P].

岸本克史 ;

福冈裕介 .

中国专利 :CN101573782B ,2009-11-04

[5]

包含有多晶半导体层的半导体元件 [P].

奥托·豪瑟 ;

哈特穆特·弗雷 .

中国专利 :CN101939819A ,2011-01-05

[6]

制备半导体层的方法 [P].

G·布拉德雷 ;

L·布尔吉 ;

F·比恩尼沃尔德 .

中国专利 :CN101919081A ,2010-12-15

[7]

半导体层的制备方法 [P].

李东琦 ;

魏洋 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108017048B ,2018-05-11

[8]

制备半导体层的方法 [P].

C·纽萨姆 .

中国专利 :CN104508847B ,2015-04-08

[9]

具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法 [P].

I.坦林 ;

M.休伯 .

德国专利 :CN113614934B ,2025-04-25

[10]

具有绝缘层的光电半导体组件和用于制造光电半导体组件的方法 [P].

I.坦林 ;

M.休伯 .

中国专利 :CN113614934A ,2021-11-05

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