分离半导体层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480026866.4

申请日：

2004-08-04

公开(公告)号：

CN100419991C

公开(公告)日：

2006-10-25

发明(设计)人：

W·施瓦岑巴赫 C·马勒维尔 N·本穆罕默德

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-17	授权	授权
2006-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-10-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706750439 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2004800268664 变更事项:专利权人变更前:S.O.I.TEC 绝缘体上硅技术公司变更后:苏泰克公司变更事项:地址变更前:法国贝尔尼变更后:法国贝尔尼
2006-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

分离基板与半导体层的方法 [P].

涂博闵 ;

黄世晟 ;

叶颖超 ;

林文禹 ;

吴芃逸 ;

马志邦 ;

洪梓健 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN101866880A ,2010-10-20

[2]

制备半导体层的方法 [P].

G·布拉德雷 ;

L·布尔吉 ;

F·比恩尼沃尔德 .

中国专利 :CN101919081A ,2010-12-15

[3]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[4]

用于处理包括半导体材料的半导体层的方法 [P].

D.F.富斯特 ;

R.A.加伯 ;

W.K.梅茨格尔 ;

R.舒巴 ;

曹洪波 ;

S.D.菲尔德曼-皮博迪 ;

L.A.克拉克 ;

单英辉 .

中国专利 :CN103681956A ,2014-03-26

[5]

具有多个半导体层的半导体器件 [P].

苏莱施·温卡特森 ;

马克·C.·福伊希 ;

迈克尔·A.·门迪奇诺 ;

马瑞斯·K.·奥罗斯基 .

中国专利 :CN1973374A ,2007-05-30

[6]

半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 [P].

杨君玲 ;

陈诺夫 ;

何家宏 ;

钟兴儒 ;

吴金良 ;

林兰英 ;

刘志凯 ;

杨少延 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1402305A ,2003-03-12

[7]

半导体叠层、半导体元件及其制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN120857726A ,2025-10-28

[8]

半导体叠层、半导体元件及其制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN111384219A ,2020-07-07

[9]

半导体叠层、半导体元件及其制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN111384219B ,2025-07-11

[10]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

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