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半导体叠层、半导体元件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911373222.7
申请日
:
2019-12-27
公开(公告)号
:
CN111384219A
公开(公告)日
:
2020-07-07
发明(设计)人
:
陈孟扬
李荣仁
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市
IPC主分类号
:
H01L3330
IPC分类号
:
H01L3302
H01L3300
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
陈小雯
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/30 申请日:20191227
2020-07-07
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体叠层、半导体元件及其制造方法
[P].
陈孟扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
陈孟扬
;
李荣仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
李荣仁
.
中国专利
:CN120857726A
,2025-10-28
[2]
半导体叠层、半导体元件及其制造方法
[P].
陈孟扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
陈孟扬
;
李荣仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
李荣仁
.
中国专利
:CN111384219B
,2025-07-11
[3]
半导体元件及其制造方法
[P].
松本良辅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
索尼半导体解决方案公司
索尼半导体解决方案公司
松本良辅
.
日本专利
:CN112771671B
,2024-12-17
[4]
半导体元件及其制造方法
[P].
松本良辅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
松本良辅
.
中国专利
:CN112771671A
,2021-05-07
[5]
半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构
[P].
廖晋毅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖晋毅
;
刘升旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘升旭
.
中国专利
:CN104900525A
,2015-09-09
[6]
半导体元件、半导体装置、及其制造方法
[P].
庭山雅彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
庭山雅彦
;
内田正雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
内田正雄
.
中国专利
:CN103548142A
,2014-01-29
[7]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法
[P].
平尾直树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
平尾直树
.
中国专利
:CN101887937A
,2010-11-17
[8]
半导体元件、半导体元件阵列基板及其制造方法
[P].
川村哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
川村哲也
.
中国专利
:CN1629706A
,2005-06-22
[9]
半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
陈孟扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈孟扬
;
李荣仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李荣仁
.
中国专利
:CN110649132B
,2020-01-03
[10]
半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法
[P].
生野彻
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
生野彻
;
大西孝治
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
大西孝治
;
西岛直也
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
西岛直也
.
日本专利
:CN120600698A
,2025-09-05
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