半导体叠层、半导体元件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911373222.7
申请日
2019-12-27
公开(公告)号
CN111384219A
公开(公告)日
2020-07-07
发明(设计)人
陈孟扬 李荣仁
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
H01L3330
IPC分类号
H01L3302 H01L3300
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陈小雯
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体叠层、半导体元件及其制造方法 [P]. 
陈孟扬 ;
李荣仁 .
中国专利 :CN120857726A ,2025-10-28
[2]
半导体叠层、半导体元件及其制造方法 [P]. 
陈孟扬 ;
李荣仁 .
中国专利 :CN111384219B ,2025-07-11
[3]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
松本良辅 .
日本专利 :CN112771671B ,2024-12-17
[4]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
松本良辅 .
中国专利 :CN112771671A ,2021-05-07
[5]
半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构 [P]. 
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[6]
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[7]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P]. 
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[8]
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[9]
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[10]
半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P]. 
生野彻 ;
大西孝治 ;
西岛直也 .
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