半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980062028.9

申请日：

2019-10-03

公开(公告)号：

CN112771671B

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

松本良辅

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L31/10

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

梁兴龙;曹正建

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

中国专利 :CN112771671A ,2021-05-07

[2]

半导体元件 [P].

伊藤大介 ;

村田贤一 ;

林利彦 .

日本专利 :CN113039652B ,2025-02-25

[3]

半导体元件 [P].

伊藤大介 ;

村田贤一 ;

林利彦 .

中国专利 :CN113039652A ,2021-06-25

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

门胁嘉孝 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN103038902A ,2013-04-10

[5]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN112787214A ,2021-05-11

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

橘浩一 ;

斋藤真司 ;

布上真也 .

中国专利 :CN100477421C ,2007-01-17

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

高野刚志 ;

城市隆秀 ;

冈川广明 .

中国专利 :CN101156253A ,2008-04-02

[8]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[9]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

中国专利 :CN110520997A ,2019-11-29

[10]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

日本专利 :CN110520997B ,2024-05-14

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