半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180037298.8

申请日：

2011-07-26

公开(公告)号：

CN103038902A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

门胁嘉孝丰田达宪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01S5323

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	授权	授权
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452521806 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2011800372988 申请日:20110726
2013-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

日本专利 :CN112771671B ,2024-12-17

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

中国专利 :CN112771671A ,2021-05-07

[3]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN112787214A ,2021-05-11

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

橘浩一 ;

斋藤真司 ;

布上真也 .

中国专利 :CN100477421C ,2007-01-17

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

高野刚志 ;

城市隆秀 ;

冈川广明 .

中国专利 :CN101156253A ,2008-04-02

[6]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[7]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 ;

八木英树 ;

藤原直树 .

中国专利 :CN114545548A ,2022-05-27

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[9]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 ;

藤原直树 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN114859461A ,2022-08-05

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

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