半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680011218.0

申请日：

2006-04-04

公开(公告)号：

CN101156253A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

高野刚志城市隆秀冈川广明

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21285 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-02	公开	公开
2014-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582507741 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006800112180 申请日:20060404 授权公告日:20090805 终止日期:20130404
2009-08-05	授权	授权
2008-10-08	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:三菱电线工业株式会社变更后权利人:三菱化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本国东京都登记生效日:20080905
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

日本专利 :CN112771671B ,2024-12-17

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

橘浩一 ;

斋藤真司 ;

布上真也 .

中国专利 :CN100477421C ,2007-01-17

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

松本良辅 .

中国专利 :CN112771671A ,2021-05-07

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

门胁嘉孝 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN103038902A ,2013-04-10

[5]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN112787214A ,2021-05-11

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[7]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 ;

藤原直树 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN114859461A ,2022-08-05

[8]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN114678767A ,2022-06-28

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

林耕竹 ;

郑双铭 ;

叶明灵 ;

包天一 .

中国专利 :CN100403514C ,2006-08-09

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

深町浩平 .

中国专利 :CN107210105A ,2017-09-26

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