半导体光元件及其制造方法

被引:0
申请号
CN202210069607.X
申请日
2022-01-21
公开(公告)号
CN114859461A
公开(公告)日
2022-08-05
发明(设计)人
平谷拓生 藤原直树 菊地健彦
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
G02B610
IPC分类号
代理机构
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
吴大建;霍玉娟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120447137A ,2025-08-08
[2]
半导体光元件及其制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
中国专利 :CN114678767A ,2022-06-28
[3]
半导体光元件及其制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
中国专利 :CN112787214A ,2021-05-11
[4]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
菊地健彦 ;
井上尚子 .
日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08
[5]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24
[6]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
田中肇 .
日本专利 :CN119575704A ,2025-03-07
[7]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
藤原直树 .
日本专利 :CN120722499A ,2025-09-30
[8]
半导体光元件及其制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
八木英树 ;
藤原直树 .
中国专利 :CN114545548A ,2022-05-27
[9]
半导体光元件及其制造方法 [P]. 
藤原直树 ;
八木英树 ;
平谷拓生 ;
菊地健彦 ;
新田俊之 .
中国专利 :CN113253385A ,2021-08-13
[10]
光半导体元件的制造方法 [P]. 
金本真子 ;
中野雅之 .
日本专利 :CN119908183A ,2025-04-29