光半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380066188.7

申请日：

2023-09-08

公开(公告)号：

CN119908183A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

金本真子中野雅之

申请人：

同和电子科技有限公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H01L21/304 H10F30/00 H10H20/01

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李恩华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20230908
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P].

平谷拓生 ;

菊地健彦 ;

井上尚子 .

日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08

[2]

半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P].

平谷拓生 .

日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24

[3]

半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P].

平谷拓生 .

日本专利 :CN120447137A ,2025-08-08

[4]

半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P].

田中肇 .

日本专利 :CN119575704A ,2025-03-07

[5]

半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P].

藤原直树 .

日本专利 :CN120722499A ,2025-09-30

[6]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN112787214A ,2021-05-11

[7]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 .

中国专利 :CN114678767A ,2022-06-28

[8]

半导体光元件及其制造方法 [P].

平谷拓生 ;

藤原直树 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN114859461A ,2022-08-05

[9]

光半导体元件的制造方法及光半导体元件 [P].

福永圭吾 ;

堀口裕一郎 ;

前田和弘 ;

津波大介 .

中国专利 :CN110914745A ,2020-03-24

[10]

光半导体元件以及光半导体元件的制造方法 [P].

泽井敬一 ;

吾乡富士夫 ;

渡边裕二 ;

川上克二 .

中国专利 :CN102856458A ,2013-01-02

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