光半导体元件以及光半导体元件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210088419.8
申请日
2012-03-29
公开(公告)号
CN102856458A
公开(公告)日
2013-01-02
发明(设计)人
泽井敬一 吾乡富士夫 渡边裕二 川上克二
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L3336
IPC分类号
H01L3362 H01L3300
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
吕晓章
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
光半导体元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
松岛贤史郎 ;
平岩浩二 ;
清田和明 ;
今村明博 .
日本专利 :CN118648207A ,2024-09-13
[2]
光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
吉田匡广 ;
清田和明 .
日本专利 :CN118648206A ,2024-09-13
[3]
光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
宫岛贤一 ;
清田和明 ;
木本龙也 ;
今村明博 ;
平岩浩二 .
日本专利 :CN118591956A ,2024-09-03
[4]
光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
宫岛贤一 ;
清田和明 ;
木本龙也 ;
今村明博 ;
平岩浩二 .
日本专利 :CN118613978A ,2024-09-06
[5]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
菊地健彦 ;
井上尚子 .
日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08
[6]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24
[7]
半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
平谷拓生 .
日本专利 :CN120447137A ,2025-08-08
[8]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
田中肇 .
日本专利 :CN119575704A ,2025-03-07
[9]
半导体光元件、以及半导体光元件的制造方法 [P]. 
藤原直树 .
日本专利 :CN120722499A ,2025-09-30
[10]
光半导体元件、光模块以及光半导体元件的制造方法 [P]. 
中井荣治 .
日本专利 :CN117981188A ,2024-05-03