光半导体元件的制造方法及光半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880040231.1

申请日：

2018-08-01

公开(公告)号：

CN110914745A

公开(公告)日：

2020-03-24

发明(设计)人：

福永圭吾堀口裕一郎前田和弘津波大介

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G02F1025

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张宝荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-24	公开	公开
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/025 申请日:20180801

共 50 条

[1]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

柳川吉明 .

日本专利 :CN120937137A ,2025-11-11

[2]

半导体元件、及半导体元件的制造方法 [P].

北武司 ;

东和司 .

中国专利 :CN101546734A ,2009-09-30

[3]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

百田圣自 ;

藤井岳志 ;

上岛聪 ;

浅井诚 .

中国专利 :CN102163623A ,2011-08-24

[4]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

绵谷力 .

日本专利 :CN118715602A ,2024-09-27

[5]

半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法 [P].

山口晴央 ;

石村荣太郎 ;

丹羽显嗣 ;

竹村亮太 .

日本专利 :CN119404612A ,2025-02-07

[6]

半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法 [P].

山口勉 .

中国专利 :CN113906640A ,2022-01-07

[7]

半导体光元件、半导体光集成元件、及半导体光元件的制造方法 [P].

山口勉 ;

佐久间仁 ;

尾上和之 .

中国专利 :CN111937259B ,2020-11-13

[8]

半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P].

平谷拓生 ;

菊地健彦 ;

井上尚子 .

日本专利 :CN120447136A ,2025-08-08

[9]

半导体光元件以及半导体光元件的制造方法 [P].

平谷拓生 .

日本专利 :CN120195806A ,2025-06-24

[10]

光半导体元件以及光半导体元件的制造方法 [P].

泽井敬一 ;

吾乡富士夫 ;

渡边裕二 ;

川上克二 .

中国专利 :CN102856458A ,2013-01-02

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