半导体元件及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480019558.6

申请日：

2024-01-26

公开(公告)号：

CN120937137A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

柳川吉明

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L23/12

IPC分类号：

H01L21/768 H01L23/532

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张小稳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件、及半导体元件的制造方法 [P].

北武司 ;

东和司 .

中国专利 :CN101546734A ,2009-09-30

[2]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

百田圣自 ;

藤井岳志 ;

上岛聪 ;

浅井诚 .

中国专利 :CN102163623A ,2011-08-24

[3]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

绵谷力 .

日本专利 :CN118715602A ,2024-09-27

[4]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[5]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[6]

光半导体元件的制造方法及光半导体元件 [P].

福永圭吾 ;

堀口裕一郎 ;

前田和弘 ;

津波大介 .

中国专利 :CN110914745A ,2020-03-24

[7]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

甘利浩一 .

中国专利 :CN102130171B ,2011-07-20

[8]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

木谷智之 ;

井口知洋 ;

平原昌子 ;

西内秀夫 ;

东条启 ;

富冈泰造 .

中国专利 :CN100580875C ,2008-07-30

[9]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

百田圣自 .

中国专利 :CN102163552B ,2011-08-24

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