用于形成自对准互连结构的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010748783.7
申请日
2020-07-30
公开(公告)号
CN112309963B
公开(公告)日
2025-04-22
发明(设计)人
刘如淦 张世明 伍海涛
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/528
代理机构
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人
朱亦林
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
用于形成自对准互连结构的方法 [P]. 
刘如淦 ;
张世明 ;
伍海涛 .
中国专利 :CN112309963A ,2021-02-02
[2]
自对准互连结构及其制造方法 [P]. 
K·俊 ;
S·高希 ;
W·拉赫马迪 ;
A·阿格拉瓦尔 ;
S·舒克赛 ;
J·托雷斯 ;
J·卡瓦列罗斯 ;
M·梅茨 ;
R·基奇 ;
K·甘古利 ;
A·默西 .
中国专利 :CN114664789A ,2022-06-24
[3]
用于形成互连结构的方法 [P]. 
李伟健 ;
陶铮 .
:CN117476545A ,2024-01-30
[4]
互连结构及互连结构的形成方法 [P]. 
邓浩 .
中国专利 :CN104299958A ,2015-01-21
[5]
形成互连结构的方法 [P]. 
卡利亚潘·穆图库马尔 ;
金龙珍 ;
卡门·莱尔·塞万提斯 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
谢祥金 ;
迈克尔·哈维蒂 ;
凯文·卡舍菲 ;
马克·沙丽 ;
艾伦·丹格菲尔德 ;
杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 .
美国专利 :CN118824944A ,2024-10-22
[6]
形成互连结构的方法 [P]. 
卡利亚潘·穆图库马尔 ;
巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;
金龙珍 ;
卡门·莱尔·塞万提斯 ;
谢祥金 ;
杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 ;
艾伦·丹格菲尔德 ;
迈克尔·哈维蒂 ;
马克·沙丽 ;
凯文·卡舍菲 .
美国专利 :CN118588634A ,2024-09-03
[7]
互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡荣洲 ;
张丰愿 ;
黄博祥 ;
刘钦洲 ;
郑仪侃 .
中国专利 :CN112447669A ,2021-03-05
[8]
金属互连结构的形成方法 [P]. 
张城龙 ;
胡敏达 .
中国专利 :CN104051324A ,2014-09-17
[9]
互连结构及其形成方法 [P]. 
杨罡 .
中国专利 :CN111627855B ,2020-09-04
[10]
互连结构及其形成方法 [P]. 
袁可方 ;
周俊卿 ;
张海洋 ;
王智东 .
中国专利 :CN109755175A ,2019-05-14