用于形成自对准互连结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010748783.7

申请日：

2020-07-30

公开(公告)号：

CN112309963B

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

刘如淦张世明伍海涛

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/528

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

朱亦林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	授权	授权
2025-07-25	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20200730授权公告日:20250422原专利权期满终止日:20400730现专利权期满终止日:20410422

共 50 条

[21]

互连结构的形成方法 [P].

孙武 ;

尹晓明 ;

张海洋 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102142393A ,2011-08-03

[22]

互连结构的形成方法和曝光对准系统 [P].

张强 ;

邢滨 ;

郝静安 .

中国专利 :CN106684032A ,2017-05-17

[23]

互连结构和形成半导体结构的方法 [P].

苏敬庭 ;

李劭宽 ;

杨光玮 ;

黄心岩 ;

张孝慷 .

中国专利 :CN121011564A ,2025-11-25

[24]

互连结构以及形成半导体结构的方法 [P].

陈思桦 ;

胡宽侃 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN119905458A ,2025-04-29

[25]

用于形成自对准触点和局部互连的方法 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN103946971A ,2014-07-23

[26]

用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法 [P].

夏立群 ;

许惠雯 ;

米哈拉·鲍尔西努 ;

石美仪 ;

德里克·R·维迪 ;

伊沙姆·迈’萨德 .

中国专利 :CN101431047B ,2009-05-13

[27]

金属互连结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN105336663B ,2016-02-17

[28]

金属互连结构的形成方法 [P].

于世瑞 .

中国专利 :CN102339789B ,2012-02-01

[29]

铜互连结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105448809A ,2016-03-30

[30]

金属互连结构的形成方法 [P].

吴明 ;

林宗贤 ;

吴孝哲 ;

吴龙江 ;

赵培培 .

中国专利 :CN110112098A ,2019-08-09

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