用于形成自对准触点和局部互连的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280055885.4

申请日：

2012-11-01

公开(公告)号：

CN103946971A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

理查德·T·舒尔茨

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594325115 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012800558854 申请日:20121101
2016-11-09	授权	授权

共 50 条

[21]

用于互连的自对准阻挡层 [P].

R·G·戈登 ;

H·金 .

中国专利 :CN102132398B ,2011-07-20

[22]

自对准互连结构及其制造方法 [P].

K·俊 ;

S·高希 ;

W·拉赫马迪 ;

A·阿格拉瓦尔 ;

S·舒克赛 ;

J·托雷斯 ;

J·卡瓦列罗斯 ;

M·梅茨 ;

R·基奇 ;

K·甘古利 ;

A·默西 .

中国专利 :CN114664789A ,2022-06-24

[23]

用于自对准接触的混合膜方案 [P].

吕建宏 ;

何彩蓉 ;

谢博全 ;

施伯铮 ;

李资良 .

中国专利 :CN114628505A ,2022-06-14

[24]

垂直晶体管的自对准底部间隔物的形成 [P].

李忠贤 ;

望月省吾 ;

鲍如强 ;

H.贾甘纳坦 .

中国专利 :CN111480238A ,2020-07-31

[25]

自对准金属互连线的制造方法 [P].

邹立 ;

罗飞 .

中国专利 :CN102034734A ,2011-04-27

[26]

一种非自对准工艺形成的半导体器件及其方法 [P].

钟汇才 .

中国专利 :CN102931140B ,2013-02-13

[27]

用于形成半导体器件中的自对准接触的方法 [P].

布鲁诺·斯普勒 ;

于尔根·威特曼 ;

马丁·古奇 ;

沃尔夫冈·伯格纳 ;

马塞厄斯·伊尔克 .

中国专利 :CN1161829C ,1999-04-21

[28]

用于形成互连的方法 [P].

罗伊·沙维夫 .

中国专利 :CN104979278B ,2015-10-14

[29]

用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法 [P].

出羽光明 ;

饭沼俊彦 ;

须黑恭一 .

中国专利 :CN1252834C ,2004-05-12

[30]

在CMOS技术中形成自对准双重硅化物的方法 [P].

小希里尔·卡布莱尔 ;

切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ;

约汉·J.·爱丽斯－莫纳甘 ;

方隼飞 ;

克里斯蒂安·拉沃伊 ;

骆志炯 ;

詹姆斯·S.·纳考斯 ;

安·L.·斯廷根 ;

克莱门特·H.·万 .

中国专利 :CN101069281A ,2007-11-07

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