用于自对准接触的混合膜方案

被引：0

申请号：

CN202210005428.X

申请日：

2022-01-04

公开(公告)号：

CN114628505A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

吕建宏何彩蓉谢博全施伯铮李资良

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

桑敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20220104
2022-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

具有自对准沟道的宽带隙半导体器件及集成方案 [P].

郑楚书 ;

H·莱恩维希 ;

蔡筱丽 .

中国专利 :CN114613853A ,2022-06-10

[2]

用于垂直FET的自对准接触的自对准隔离 [P].

克利福德·德劳利 ;

崔浩 ;

安德鲁·爱德华兹 ;

苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 .

中国专利 :CN113948393A ,2022-01-18

[3]

一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构 [P].

刘志纲 ;

魏峥颖 ;

赵国旭 ;

李杨枫 ;

朱国亮 ;

杨方玉 .

中国专利 :CN101996926B ,2011-03-30

[4]

到栅极的自对准接触 [P].

马克·博尔 .

中国专利 :CN1324676C ,2004-10-27

[5]

自对准接触方案、半导体结构及其形成方法 [P].

何彩蓉 ;

许光源 ;

郑培仁 .

中国专利 :CN107275281B ,2017-10-20

[6]

用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触 [P].

R·拉玛钱德兰 ;

R·迪瓦卡鲁尼 ;

李影 .

中国专利 :CN103299428B ,2013-09-11

[7]

用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜 [P].

黄仁安 ;

张启新 ;

杨仁盛 ;

林大为 ;

罗仕豪 ;

叶志扬 ;

林慧雯 ;

高荣辉 ;

涂元添 ;

林焕哲 ;

彭治棠 ;

郑培仁 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102983105B ,2013-03-20

[8]

自－对准的接触方法 [P].

尹世罗 ;

裵根熙 ;

洪昌基 ;

朴正宪 ;

李在东 ;

郑明浩 ;

具珠善 ;

朴俊相 ;

金荣玉 .

中国专利 :CN1825541A ,2006-08-30

[9]

用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质 [P].

托马斯·韦勒·芒特斯尔 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

阿南达·K·巴纳基 ;

纳格拉杰·尚卡尔 .

中国专利 :CN105405760A ,2016-03-16

[10]

沟槽器件的自对准接触结构 [P].

D·P·琼斯 .

中国专利 :CN101421832A ,2009-04-29

← 1 2 3 4 5 →