到栅极的自对准接触

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03800505.0

申请日：

2003-08-21

公开(公告)号：

CN1324676C

公开(公告)日：

2004-10-27

发明(设计)人：

马克·博尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-10-27	公开	公开
2018-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20030821 授权公告日:20070704 终止日期:20170821
2007-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准栅极结构 [P].

唐智凯 ;

东正彦 ;

U·拉达克里希纳 ;

J·乔 .

美国专利 :CN119907260A ,2025-04-29

[2]

具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构 [P].

S.苏布拉马尼恩 ;

W.M.哈费茨 .

中国专利 :CN111668215A ,2020-09-15

[3]

具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构 [P].

S.苏布拉马尼恩 ;

W.M.哈费茨 .

美国专利 :CN119364849A ,2025-01-24

[4]

用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延源极/漏极接触 [P].

J·常 ;

P·常 ;

V·纳拉亚南 ;

J·斯莱特 .

中国专利 :CN102906893A ,2013-01-30

[5]

栅极对准接触部及其制造方法 [P].

O·戈隆茨卡 ;

S·希瓦库马 ;

C·H·华莱士 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN105870191B ,2016-08-17

[6]

栅极对准接触部及其制造方法 [P].

O·戈隆茨卡 ;

S·希瓦库马 ;

C·H·华莱士 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN104011835A ,2014-08-27

[7]

自对准接触部 [P].

M·T·博尔 ;

T·加尼 ;

N·M·拉哈尔-乌拉比 ;

S·乔希 ;

J·M·施泰格瓦尔德 ;

J·W·克劳斯 ;

J·黄 ;

R·马茨凯维奇 .

中国专利 :CN102640291A ,2012-08-15

[8]

自对准接触部 [P].

M·T·博尔 ;

T·加尼 ;

N·M·拉哈尔-乌拉比 ;

S·乔希 ;

J·M·施泰格瓦尔德 ;

J·W·克劳斯 ;

J·黄 ;

R·马茨凯维奇 .

中国专利 :CN104795444A ,2015-07-22

[9]

具有多晶硅接触的自对准MOS结构 [P].

邱慈云 .

中国专利 :CN101621030A ,2010-01-06

[10]

测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法 [P].

范荣伟 ;

刘飞珏 ;

龙吟 ;

倪棋梁 ;

陈宏璘 .

中国专利 :CN103354212A ,2013-10-16

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