具有多晶硅接触的自对准MOS结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810040290.7

申请日：

2008-07-02

公开(公告)号：

CN101621030A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

邱慈云

申请人：

申请人地址：

201210上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21768 H01L2704 H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	公开	公开
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法 [P].

蒋莉 ;

邵颖 ;

彭洪修 ;

吴佳特 .

中国专利 :CN101055852A ,2007-10-17

[2]

双层多晶硅自对准栅结构的制备方法 [P].

王雷 ;

黄玮 .

中国专利 :CN101459133A ,2009-06-17

[3]

制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法 [P].

D·D·库尔鲍赫 ;

J·S·顿恩 ;

S·A·斯特安格 .

中国专利 :CN1184698C ,2001-10-24

[4]

用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法 [P].

许邦泓 ;

杨尚勇 ;

黄永发 ;

蔡孟霖 .

中国专利 :CN108470691B ,2018-08-31

[5]

多晶硅残留监测结构 [P].

高金德 ;

蔡恩静 .

中国专利 :CN103887283B ,2014-06-25

[6]

多晶硅自对准沟道的制备方法 [P].

李士颜 ;

黄润华 ;

陈允峰 ;

陈刚 ;

柏松 .

中国专利 :CN107527955A ,2017-12-29

[7]

多晶硅自对准插塞的制作方法 [P].

周维 .

中国专利 :CN101192561A ,2008-06-04

[8]

带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法 [P].

丁佳 ;

冯大贵 ;

吴长明 ;

欧少敏 ;

崔艳雷 .

中国专利 :CN111524802B ,2020-08-11

[9]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

陈敏杰 ;

许进 ;

唐在峰 ;

任昱 .

中国专利 :CN114038739A ,2022-02-11

[10]

具有多晶硅电极的半导体器件 [P].

巴特罗米杰·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN101288159A ,2008-10-15

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