通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610025646.0

申请日：

2006-04-12

公开(公告)号：

CN101055852A

公开(公告)日：

2007-10-17

发明(设计)人：

蒋莉邵颖彭洪修吴佳特

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L218239 H01L21762

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	公开	公开
2012-02-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101280520655 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2006100256460 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111230
2007-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-09	授权	授权

共 50 条

[1]

双层多晶硅自对准栅结构的制备方法 [P].

王雷 ;

黄玮 .

中国专利 :CN101459133A ,2009-06-17

[2]

具有多晶硅接触的自对准MOS结构 [P].

邱慈云 .

中国专利 :CN101621030A ,2010-01-06

[3]

闪存器件浮栅多晶硅的刻蚀方法 [P].

贾红丹 ;

顾林 ;

黄铭祺 ;

王虎 ;

王震 ;

杜怡行 .

中国专利 :CN115083897A ,2022-09-20

[4]

一种自对准多晶硅浮栅的制作方法 [P].

张雄 ;

曹子贵 ;

石小兵 ;

纪登峰 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN101800172B ,2010-08-11

[5]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[6]

减少闪存器件浮栅多晶硅损失的方法 [P].

姚春 ;

杜怡行 ;

王壮壮 ;

张超然 .

中国专利 :CN115589730A ,2023-01-10

[7]

多晶硅自对准沟道的制备方法 [P].

李士颜 ;

黄润华 ;

陈允峰 ;

陈刚 ;

柏松 .

中国专利 :CN107527955A ,2017-12-29

[8]

形成多晶硅结构 [P].

桑杰伊·纳塔拉詹 ;

凯文·海德里奇 ;

伊布拉西姆·班恩 .

中国专利 :CN1714440A ,2005-12-28

[9]

多晶硅自对准插塞的制作方法 [P].

周维 .

中国专利 :CN101192561A ,2008-06-04

[10]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

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