双层多晶硅自对准栅结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094444.6

申请日：

2007-12-13

公开(公告)号：

CN101459133A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

王雷黄玮

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689552278 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2007100944446 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2010-09-08	授权	授权
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法 [P].

蒋莉 ;

邵颖 ;

彭洪修 ;

吴佳特 .

中国专利 :CN101055852A ,2007-10-17

[2]

自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法 [P].

吕煜坤 ;

孙娟 .

中国专利 :CN101740520B ,2010-06-16

[3]

利用双层多晶硅器件结构自对准制备微波功率器件的方法 [P].

黄伟 ;

徐湘海 ;

王胜 ;

万清 ;

胡南中 .

中国专利 :CN101950722A ,2011-01-19

[4]

多晶硅自对准沟道的制备方法 [P].

李士颜 ;

黄润华 ;

陈允峰 ;

陈刚 ;

柏松 .

中国专利 :CN107527955A ,2017-12-29

[5]

具有多晶硅接触的自对准MOS结构 [P].

邱慈云 .

中国专利 :CN101621030A ,2010-01-06

[6]

一种自对准多晶硅浮栅的制作方法 [P].

张雄 ;

曹子贵 ;

石小兵 ;

纪登峰 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN101800172B ,2010-08-11

[7]

源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法 [P].

吴智勇 ;

孙娟 .

中国专利 :CN103137464A ,2013-06-05

[8]

多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构 [P].

张良芬 ;

连水池 ;

罗长诚 ;

吴元均 ;

徐源竣 ;

郭海成 ;

王文 ;

陈荣盛 ;

周玮 ;

张猛 .

中国专利 :CN104992899A ,2015-10-21

[9]

多晶硅自对准插塞的制作方法 [P].

周维 .

中国专利 :CN101192561A ,2008-06-04

[10]

多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备 [P].

手计晶之 .

中国专利 :CN101495408A ,2009-07-29

← 1 2 3 4 5 →