自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043950.7

申请日：

2008-11-20

公开(公告)号：

CN101740520B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

吕煜坤孙娟

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

顾继光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2011-11-02	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689501500 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2008100439507 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005252924 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2008100439507 申请日:20081120

共 50 条

[1]

双层多晶硅自对准栅结构的制备方法 [P].

王雷 ;

黄玮 .

中国专利 :CN101459133A ,2009-06-17

[2]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[3]

提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构 [P].

迟玉山 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN101452814B ,2009-06-10

[4]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

[5]

多晶硅栅的沉积方法 [P].

孙建军 ;

翟立君 ;

孙博 ;

冯永波 ;

赵星 .

中国专利 :CN102044425A ,2011-05-04

[6]

利用双层多晶硅器件结构自对准制备微波功率器件的方法 [P].

黄伟 ;

徐湘海 ;

王胜 ;

万清 ;

胡南中 .

中国专利 :CN101950722A ,2011-01-19

[7]

多晶硅栅的制造方法 [P].

沈冬冬 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN109103086B ,2018-12-28

[8]

多晶硅栅切割方法 [P].

陈品翰 ;

吴华峰 .

中国专利 :CN114899148A ,2022-08-12

[9]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[10]

用于制作多晶硅栅结构的方法 [P].

韩秋华 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN102386078B ,2012-03-21

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