多晶硅栅的沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910197672.5

申请日：

2009-10-23

公开(公告)号：

CN102044425A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

孙建军翟立君孙博冯永波赵星

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

王一斌;王琦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080107017 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2009101976725 申请日:20091023
2011-05-04	公开	公开
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101488166840 IPC(主分类):H01L 21/285 专利号:ZL2009101976725 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121119
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20091023 授权公告日:20120926 终止日期:20191023
2012-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅栅层的沉积方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101211772A ,2008-07-02

[2]

多晶硅栅的制造方法 [P].

沈冬冬 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN109103086B ,2018-12-28

[3]

多晶硅栅切割方法 [P].

陈品翰 ;

吴华峰 .

中国专利 :CN114899148A ,2022-08-12

[4]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[5]

沟槽多晶硅栅的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

石磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465350A ,2015-03-25

[6]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[7]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

[8]

多晶硅栅极掺杂方法 [P].

朱蓓 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN1889236A ,2007-01-03

[9]

形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件 [P].

侯会丹 ;

姚兰 ;

石艳伟 .

中国专利 :CN113809009A ,2021-12-17

[10]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

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