多晶硅自对准沟道的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710554326.2

申请日：

2017-07-07

公开(公告)号：

CN107527955A

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

李士颜黄润华陈允峰陈刚柏松

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-29	公开	公开
2021-02-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20171229
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20170707

共 50 条

[1]

双层多晶硅自对准栅结构的制备方法 [P].

王雷 ;

黄玮 .

中国专利 :CN101459133A ,2009-06-17

[2]

多晶硅自对准插塞的制作方法 [P].

周维 .

中国专利 :CN101192561A ,2008-06-04

[3]

具有多晶硅接触的自对准MOS结构 [P].

邱慈云 .

中国专利 :CN101621030A ,2010-01-06

[4]

多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备 [P].

手计晶之 .

中国专利 :CN101495408A ,2009-07-29

[5]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

[6]

多晶硅锭的制备方法、多晶硅锭及多晶硅片 [P].

游达 ;

黄春来 ;

周声浪 ;

贾晨晨 .

中国专利 :CN104862778A ,2015-08-26

[7]

制备多晶硅的方法 [P].

于尔根·沃尔夫 ;

马库斯·文蔡斯 .

德国专利 :CN113544090B ,2024-06-04

[8]

制备多晶硅的方法 [P].

于尔根·沃尔夫 ;

马库斯·文蔡斯 .

中国专利 :CN113544090A ,2021-10-22

[9]

制备多晶硅的方法 [P].

苏文华 ;

李胜路 .

中国专利 :CN102432021A ,2012-05-02

[10]

多晶硅的制备方法 [P].

H·沃赫纳 .

中国专利 :CN105829246B ,2016-08-03

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