自对准栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411467685.0

申请日：

2024-10-21

公开(公告)号：

CN119907260A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

唐智凯东正彦 U·拉达克里希纳 J·乔

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

山东省德州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

到栅极的自对准接触 [P].

马克·博尔 .

中国专利 :CN1324676C ,2004-10-27

[2]

一种自对准分离栅极结构 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN216450648U ,2022-05-06

[3]

用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜 [P].

黄仁安 ;

张启新 ;

杨仁盛 ;

林大为 ;

罗仕豪 ;

叶志扬 ;

林慧雯 ;

高荣辉 ;

涂元添 ;

林焕哲 ;

彭治棠 ;

郑培仁 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102983105B ,2013-03-20

[4]

自-对准栅极边缘三栅极和finFET器件 [P].

S.S.廖 ;

B.古哈 ;

T.加尼 ;

C.N.凯尼恩 ;

L.P.古勒 .

中国专利 :CN109417094A ,2019-03-01

[5]

自对准栅极结型场效应晶体管结构和方法 [P].

阿首克·库马尔·卡泊尔 .

中国专利 :CN101467265A ,2009-06-24

[6]

一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件 [P].

李亦衡 ;

黄克强 ;

刘晓鹏 ;

沈峰 ;

王强 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN112614777A ,2021-04-06

[7]

在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度 [P].

谢瑞龙 ;

山下天孝 ;

程慷果 ;

叶俊呈 .

中国专利 :CN107887327A ,2018-04-06

[8]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318A ,2022-02-18

[9]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318B ,2024-10-15

[10]

具有自对准栅极和场板的半导体装置及其制造方法 [P].

P·雷诺 ;

朱从佣 .

美国专利 :CN119521731A ,2025-02-25

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