一种自对准分离栅极结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111408259.6

申请日：

2021-11-25

公开(公告)号：

CN114068318A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

胡强杨柯马克强王思亮蒋兴莉

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21331 H01L29423 H01L29739

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

苏丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20211125
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318B ,2024-10-15

[2]

一种自对准分离栅极结构 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN216450648U ,2022-05-06

[3]

自对准栅极结构 [P].

唐智凯 ;

东正彦 ;

U·拉达克里希纳 ;

J·乔 .

美国专利 :CN119907260A ,2025-04-29

[4]

一种自对准沟槽栅结构IGBT的制备方法 [P].

胡强 ;

唐茂森 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068328A ,2022-02-18

[5]

一种自对准结构MOSFET的制备方法 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN115101418A ,2022-09-23

[6]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405B ,2025-09-19

[7]

一种自对准栅极GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张鹏 ;

雷文波 ;

杨凌 ;

宓珉翰 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN119008405A ,2024-11-22

[8]

自对准分离栅极与非闪存及制造方法 [P].

陈秋峰 ;

范德慈 ;

吕荣章 ;

普拉蒂普·滕塔苏德 .

中国专利 :CN100380667C ,2004-05-12

[9]

到栅极的自对准接触 [P].

马克·博尔 .

中国专利 :CN1324676C ,2004-10-27

[10]

具有自对准特征的沟槽栅极FET [P].

朴赞毫 .

中国专利 :CN101536165A ,2009-09-16

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