一种自对准分离栅极结构

被引：0

申请号：

CN202122903859.1

申请日：

2021-11-25

公开(公告)号：

CN216450648U

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

胡强杨柯马克强王思亮蒋兴莉

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29739

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

苏丹

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318A ,2022-02-18

[2]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318B ,2024-10-15

[3]

自对准栅极结构 [P].

唐智凯 ;

东正彦 ;

U·拉达克里希纳 ;

J·乔 .

美国专利 :CN119907260A ,2025-04-29

[4]

一种自对准沟槽栅结构IGBT [P].

胡强 ;

唐茂森 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN216450649U ,2022-05-06

[5]

自对准分离栅极与非闪存及制造方法 [P].

陈秋峰 ;

范德慈 ;

吕荣章 ;

普拉蒂普·滕塔苏德 .

中国专利 :CN100380667C ,2004-05-12

[6]

具有自对准特征的沟槽栅极FET [P].

朴赞毫 .

中国专利 :CN101536165A ,2009-09-16

[7]

到栅极的自对准接触 [P].

马克·博尔 .

中国专利 :CN1324676C ,2004-10-27

[8]

自-对准栅极边缘三栅极和finFET器件 [P].

S.S.廖 ;

B.古哈 ;

T.加尼 ;

C.N.凯尼恩 ;

L.P.古勒 .

中国专利 :CN109417094A ,2019-03-01

[9]

一种自对准沟槽栅结构IGBT的制备方法 [P].

胡强 ;

唐茂森 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068328A ,2022-02-18

[10]

一种自对准双栅极MOSFET及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120640744A ,2025-09-12

← 1 2 3 4 5 →